Программа курса "Наноэлектронные устройства на основе кремния на изоляторе"

(10-й семестр, 34 часа, зачет)

1. Одноэлектронные структуры. Одноэлектронные транзистор, "ящик", ловушка, "насос" [1-3]. Характеристики одноэлектронных устройств и их применение.

2. Полевые транзисторы с каналом-нанопроводом. Характеристики транзисторов с каналом-нанопроводом (транспортные, шумовые), устройства на их основе и практическое применение [4-5].

3. Наноэлектромеханические системы (НЭМС). Характеристики наномеханических структур из кремния (размеры, резонансные частоты, добротность). Считывающие устройства для наномеханических структур. Устройства на их основе и применение [6-7].

Литература

1. Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, "Silicon single-electron devices", - J. Phys.: Condens. Matter 14, R995 (2002).
2. Y. Ono et al., "Single-electron and quantum SOI devices", - Microelectron. Eng. 59, 435 (2001).
3. H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve, M.H. Devoret, "Single-electron pump based on charging effects", Europhys. Lett. 17, 249 (1992).
4. S.V. Amitonov, D.E. Presnov, V.I Rudakov, V.A. Krupenin. "Nanowire field-effect transistor based on non-uniform doped SOI", Microelectronics 4, (2013).
5. J. Salfi, I.G. Savelyev, M. Blumin, S.V. Nair, H.E. Ruda, "Direct observation of single-charge-detection capability of nanowire field-effect transistors", Nat. Nanotech. 5, 737 (2010).
6. K.L. Ekinci, M.L. Roukes, "Nanoelectromechanical systems", Rev. Sci. Instrum. 76, 061101 (2005).
7. R.G. Knobel, A.N. Cleland, "Nanometre-scale displacement sensing using a single electron transistor", Nature 424, 291 (2003).

Другие курсы, читаемые на кафедре