Работа опубликована в ЖЭТФ, т. 124, с. 1127-1132 (2003).

Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком

И.П. Звягин, А.Г. Миронов, М.А. Ормонт

Вычислено распределение электронной плотности в легированных сверхрешетках с контролируемым вертикальным беспорядком, обусловленным флуктуациями толщин слоев в направлении роста структуры, при учете обменного взаимодействия. Показано, что при низких температурах обменное взаимодействие приводит к возрастанию разброса уровней размерного квантования и к образованию мягкой щели в распределении концентраций по ямам сверхрешетки.


Другие исследования по теории полупроводников