Научные публикации кафедры полупроводников за 1996 год

Статьи

• В.С. Днепровский. Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек. Успехи физических наук, т. 166, с. 432-434 (1996).
• V. Dneprovskii. Strong optical nonlinearities of semiconductor quantum wires and dots. Laser Optics, v. 6, No. 6, p. 997-1002 (1996).
• V. Dneprovskii, N. Gushina. E. Zhukov, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires and dots. Proc. 3d Int. Symp. on Quantum confinement: Physics and Application (Electrochemical Society Proc. 95-17), p. 166-177 (1996).
• R. Keiper, W. Wang, I.P. Zvyagin. Effect of quantum confinement on impurity hopping in quantum wells. Phys. Stat. Solidi B, v. 193, No. 1, p. 113-118 (1996).
• A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, I.P. Zvyagin, D.G. Yarkin. Non-monotone kinetics of persistent photoconductivity in compensated a-Si:H films. J. Non-Cryst. Solids, v. 198-200, No. 1, p. 470-473 (1996).
• И.П. Звягин, В. Ван. Частотная зависимость проводимости по примесям в квантовой яме. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 6, с. 69-73 (1996).
• В. Киназе, И.П. Звягин. К теории проводимости сегнетокерамических композитов. Изв. РАН. Сер. физ., т. 60, в. 10, с. 69-72 (1996).
• А.Г. Казанский, Д.Г. Яркин. Влияние длительного освещения на свойства компенсированного a-Si:H. Физ. и техн. полупроводн., т. 30, в. 4, с. 739-744 (1996).
• И.А. Курова, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина, О.П. Хлебникова, А.Л. Громадин. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором. Физ. и техн. полупроводн., т. 30, в. 1, с. 12-16 (1996).
• И.А. Курова, О.Н. Мирошник, Н.Н. Ормонт. Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор. Физ. и техн. полупроводн., т. 30, в. 4, с. 727-729 (1996).
• В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, С.Ф. Раухман, С.М. Лосева. Оптические переходы в структурно совершенных нелегированных монокристаллах CdAs2 на краю собственного поглощения и в примесной области. Неорг. материалы, т. 32, в. 1, с. 17-22 (1996).
• О.Г. Кошелев, Т.В. Семененя, В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, А.Б. Маймасов. Диэлектрическая проницаемость диарсенида цинка в СВЧ диапазоне. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 4, с. 102-105 (1996).
• В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, М.В. Чукичев. Серия линий свободного экситона в спектрах пропускания диарсенида цинка. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 5, с. 86-89 (1996).
• О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с p-n переходами. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия. т. 37, в. 6, (1996).
• В.А. Морозова, Т.В. Семененя, С.Ф. Маренкин, О.Г. Кошелев, С.Ф. Раухман, С.М. Лосева. О спектрах фототока короткого замыкания диарсенида кадмия. Неорг. материалы, т. 32, в. 11, с. 1329-1332 (1996).
• O.G. Koshelev, V.A. Morozova. A nondestructive method for measuring the photoelectric parameters of wafers with p-n junctions. Solid State Electronics, v. 39, No. 9, p. 1379-1383 (1996).
• М.Д. Кротова, Ю.В. Плесков, О.Г.Кошелев, А.М. Морозов. Особенности фототока на n-кремниевом фотоаноде, покрытом защитным слоем проводящих оксидов. Электрохимия, в. 12 (1996).
• А.А. Опаленко, А.А. Корнилова, О.Г. Кошелев. Дифракция мессбауэровского излучения в совершенном кристалле кремния при воздействии ультразвука. Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия, т. 37, в. 2, с. 102-104 (1996).
• А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe. Известия РАН, сер. физ., т. 60, в. 10, с. 46-51 (1996).
• А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Нецентральность примсных атомов Pb и Sn, индуцированная сильным локальным напряжением в решетке GeTe. Письма в ЖЭТФ, т. 63, в. 8, с. 600-603 (1996).
• В.В. Вавилова, Ю.К. Ковнеристый, А.И. Лебедев, В.В. Михайлин, Н.А. Палий, А.П. Рогалев. Исследование аморфных сплавов Re87Ta13 и Re48W52 методом EXAFS-спектроскопии. Докл. АН, т. 348, в. 2, с. 197-200 (1996).
• А.И. Лебедев, И.А. Случинская, В.Н. Демин, И. Манро. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe. Изв. РАН, сер. физическая, т. 60, в. 10, с. 46-52 (1996).
• А.Э. Юнович. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов. Светотехника, в. 5/6, с. 2-7 (1996).
• K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Luminescence spectra of superbright blue and green InGaN/AlGaN/GaN light emitting diodes. MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, v. 1, Art. 11 (1996).
• А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Измерения мощности излучения голубых и зеленых InGaN/AlGaN/GaN светодиодов с помощью фотопреобразователей из аморфного кремния. Письма в ЖТФ, т. 22, в. 23, с. 82-86 (1996).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A.G. Belov, V.M. Lakeenkov, L.M. Liberant, N.A. Smirnova. Atomic configuration and far-infrared optical spectra of lattice vibrations of Zn-Te and Cd-Te modes in CdxZn1-xTe (x=0.2). J. Cryst. Growth, v. 159, No. 1-4, p. 186-190 (1996).
• А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, Л.И. Белогорохова. Взаимосвязь между сигналом фотолюминесценции и поверхностными состояниями пористого кремния, в том числе "свободных" пленок пористого кремния. ФТП, т. 30, в. 7, с. 1177-1185 (1996).

Тезисы докладов и публикации в трудах конференций

• V. Dneprovskii, N. Gushina, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina, E. Zhukov. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires. 9th Int. Conf. on Superlattices, Microstructures and Microdevices (Liege, Belgium, 1996), Abstract TuP-77.
• V. Dneprovskii, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina, E. Zhukov. Nonlinear optical properties of semiconductor quantum wires. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Devices" (St.-Petersburg, 1996). Abstracts, p. 278-281.
• V. Dneprovskii, V. Karavanskii, V. Poborchii, I. Salamatina, E. Zhukov. Picosecond laser spectroscopy of semiconductor quantum wires. Proc. of CLEO/IQEC (Hamburg, 1996), p. 162.
• В.С Днепровский, Е.А. Жуков, В.А. Караванский. Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), с. 65.
• И.П. Звягин. Особенности прыжковой проводимости квазинизкоразмерных систем. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 2, с. 131.
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, Т.В. Семененя, О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Оптические и фотоэлектрические свойства ZnAs2. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 2, с. 193.
• О.Г. Кошелев, В.А. Морозова. Новый метод определения фотоэлектрических параметров полупроводниковых пластин с p-n переходами. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 2, с. 98.
• В.А. Морозова, С.Ф. Маренкин, Т.В. Семененя, О.Г. Кошелев. Оптические и фотоэлектрические свойства CdAs2. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 1, с. 101.
• О.Г. Кошелев, Е.А. Форш. Пропускание структуры диэлектрический волновод -- неоднородный полупроводник. 5-я Всеросс. школа-семинар "Волновые явления в неоднородных средах" (Москва, 1996). Тез. докл., с. 29-30.
• A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro. Off-centering of Pb and Sn impurities in GeTe induced by strong local stress. 9th Int. Conf. on X-ray Absorption Fine Structure (Grenoble, 1996). Program and Abstracts, PS3-82.
• M.A. Terekhin, V.N. Makhov, A.I. Lebedev, I.A. Sluchinskaya, I.H. Munro, K.C. Cheung. Effect of (Ba,5p) core hole mobility on cross luminescence in fluorite crystals. Int. Conf. on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (Prague, 1996). Abstract P1-28.
• В.С. Вавилов, Р.Р. Резванов, М.В. Чукичев. Внутрицентровая люминесценция Ni2+ в полупроводниках A2B6. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 1, с. 122.
• В.С. Вавилов, И.Ф. Четверикова, М.В. Чукичев и др. Катодолюминесценция нелегированных слоев GaN/6H-SiC. 2-я Росс. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996), т. 1, с. 194.
• С.В. Титков, Р.М. Минеева, А.В. Сперанский, М.В. Чукичев. ЭПР и КЛ никель-содержащих центров в алмазах российских месторождений. Тез. докл. 3-го Европейского симп. по спектроскопическим методам и минералогии (Киев, 1996), с. 38.
• K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Luminescence spectra of superbright blue and green InGaN/AlGaN/GaN light emitting diodes. Abst. 1st European GaN Workshop (Rigi, Switzerland, 1996), p. 47.
• K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. Luminescence spectra of superbright blue and green InGaN/AlGaN/GaN light emitting diodes. Int. Symp. on Nitrides (Saint-Malo, France, 1996). Abstr. A31.
• А.Э. Юнович. Светодиоды на основе многослойных гетероструктур -- исследования, материалы, разработки, перспективы (обзор). Тез. докл. межд. конф. "Физика и промышленность" (Голицино, 1996), с. 283-284.
• A.N. Kovalev, V. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A. Turkin, K. Zolina, A.E. Yunovich. Electrical properties and luminescent spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes. 23rd Int. Symp. on Semiconductor Compounds (St.-Petersburg, 1996), Abstr. 03.P3.04.
• A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A. Turkin, K.G. Zolina. Tunnel effects in luminescence spectra of InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes. 1996 MRS Fall Meeting (Boston, 1996), Symposium N, N9-37.
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A.B. Danilin, L.N. Liberant. Low-dimensional inhomogeneity of lattice of CdxHg1-xTe narrow-gap semiconductors. Proc. Int. Semiconductor Conf. (Bucharest, 1996), v. 2, p. 571-574.
• A.I. Belogorokhov, A.B. Danilin, V.A. Karavanskii, L.I. Belogorokhova. Optical properties of photoluminescent porous gallium phosphide. Proc. Int. Semiconductor Conf. (Bucharest, 1996), v. 1, p. 225-228.
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. The effect of a local instability of the lead-telluride lattice on the optical properties of PbTe:In,Ga material. Proc. 23nd European Congress on Molecular Spectroscopy (EUCMOS-96, Balatonfured, Hungary, 1996).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Plasma resonance of free carriers and estimates of some of the parameters of the energy band structure of CdxHg1-xTe. Proc. 23nd European Congress on Molecular Spectroscopy (EUCMOS-96, Balatonfured, Hungary, 1996).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, V.M. Lakeenkov, L.M. Liberant. Dependence of local distribution on ZnTe and CdTe lattice vibration modes in CdZnTe with alloy composition. Proc. 23nd European Congress on Molecular Spectroscopy (EUCMOS-96, Balatonfured, Hungary, 1996).
• A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, V.A. Karavanskii, L.M. Liberant. Far-infrared Fourier transform spectroscopy of luminescent porous GaP and InSb semiconductors. Mat. Int. Conf. on Advanced Materials for Optics and Optoelectronics (Prague, 1996).
• I.A. Kurova, A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova. Features of infrared reflectivity spectra of the boron-doped layers of amorphous silicon. 1996 MRS Spring Meeting (San-Francisco, 1996).