Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 35,
в. 3, с. 367-370 (2001).
Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние
на них термического отжига
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков,
И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских
Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок
a-Si:H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние
на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность
неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости
достигает величины K=3.4 * 106. С увеличением температуры отжига
происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения
фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок,
отожженных при температуре выше 500oC, определяется суммой зонной
проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.
Другие работы по исследованию аморфных
полупроводников